收藏本站
MRF7S38010HR3 MRF7S38010HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
?70
?10
1
?40
?50
10
?30
?20
?60
7th Order
5th Order
3rd Order
50
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
TWO?TONE SPACING (MHz)
1 10010
?70
IM3?U
?20
?30
?50
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
?40
IM3?L
IM5?U
IM5?L
IM7?L
IM7?U
?15
?50
?55
?60
?45
Figure 9. WiMAX, ACPR, Power Gain and Drain
Efficiency versus Output Power
0
110
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG. WiMAX
45
35
30
10
20
20
ACPR
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
ACPR (dBc)
ηD
40
25
15
Gps
VDD
= 30 Vdc, I
DQ
= 160 mA
f1 = 3495
MHz, f2 = 3505 MHz
Two?Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
VDD
= 30 Vdc, P
out
= 12 W (PEP), I
DQ
= 160
mA
Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 3500 MHz
30
11
19
0
50
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
= 30 Vdc
IDQ
= 160 mA
f = 3500 MHz
TC
= ?30
C
25C
?30C
85C
10
1
16
15
14
13
12
35
30
25
20
15
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Gps
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Figure 11. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
0510
11
17
12
13
14
IDQ
= 160 mA
f = 3500 MHz
25
VDD
= 28 V
30 V
?10
?40
?35
?30
?25
?20
17
40
25C
85C
15
16
32 V
5
TC
= ?30
C
?30C
85C
25C
?60
VDD= 30 Vdc, IDQ
= 160 mA
f = 3500 MHz, 802.16d, 64 QAM 3/4
4 Bursts, 7 MHz Channel
Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB
@ 0.01% Probability on CCDF
85C
25C
?30C
85C
18
45
15 20
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MRF7S38040HSR5 MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400S
MRF7S38075HSR5 MOSFET RF N-CH 12W 30V NI-780S
MRF8P18265HSR6 FET RF N-CH 1840MHZ 30V NI1230S8
MRF8P20100HSR3 FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4
MRF8P20140WHSR3 FET RF LDMOS 28V 500MA NI780S-4
MRF8P20161HSR3 IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
MRF8P20165WHSR3 FET RF LDMOS 28V 550MA NI780S4
MRF8P23080HSR3 FET RF N-CH 2.3GHZ 28V NI780S-4
相关代理商/技术参数
MRF7S38040HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S38040HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S38040HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S38040HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S38075HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 12W 30V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S38075HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 12W 30V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S38075HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 12W 30V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S38075HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 12W 30V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
    • 我
    • 采购
    • 搜索
    • 会员